يتفوّق ترانزستور IGBT على الترانزستورات الحقليّة و القطبيّة بعامل كسب قدرة أعلى, مصحوباً بخسارات أقلّ على الدّخل وتحمّل جهود عالية أكبر من الترانزستورات
يتفوّق ترانزستور IGBT على الترانزستورات الحقليّة و القطبيّة بعامل كسب قدرة أعلى, مصحوباً بخسارات أقلّ على الدّخل وتحمّل جهود عالية أكبر من الترانزستورات